VS-1N1206RA

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

VS-1N1206RA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

VS-1N1206RA
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7100
VISHAY SE
散装
1521+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共9条
1

您是不是要找： VS-1N2128A VS-1N2128RA VS-1N2129A VS-1N2129RA VS-1N2130A VS-1N2130RA VS-1N2131A VS-1N2131RA VS-1N2133A

VS-1N1206RA PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

VS-1N1206RA PDF下载

功能描述
整流器 600 Volt 12 Amp
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

VS-1N1206RA 技术参数

VS-1N1204RA 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 12A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:100 VS-1N1199RA 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:12A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 12A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱供应商器件封装:DO-203AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:100 VS-1N1186RA 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 126A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5mA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:100 VS-1N1184RA 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 126A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:100 VS-1N1184R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 110A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:100 VS-1N2133RA VS-1N2135A VS-1N2135RA VS-1N2137A VS-1N2138A VS-1N2138RA VS-1N2160 VS-1N3208 VS-1N3208R VS-1N3209 VS-1N3209R VS-1N3210 VS-1N3210R VS-1N3211 VS-1N3211R VS-1N3212 VS-1N3212R VS-1N3213