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W25Q256FVEIGTR

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W25Q256FVEIGTR
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
WINBOND
近两年生产
WDFN-8
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W25Q256FVEIGTR 技术参数

W25Q256FVEIG 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 256MBIT 80MHZ 8WSON W25Q20CLZPIG 功能描述:IC FLASH SPI 2MBIT 8WSON RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽）供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 W25Q16VSSIG 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ W25Q16VSFIG 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 16SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:SpiFlash® 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ W25Q16DWZPIG 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8WSON W25Q256FVFIP TR W25Q256FVFIQ W25Q256FVFIQ TR W25Q256JVBIM W25Q256JVBIM TR W25Q256JVBIQ W25Q256JVBIQ TR W25Q256JVCIM W25Q256JVCIM TR W25Q256JVCIQ W25Q256JVCIQ TR W25Q256JVEIM W25Q256JVEIM TR W25Q256JVEIQ W25Q256JVEIQ TR W25Q256JVFIM W25Q256JVFIM TR W25Q256JVFIQ