ZAM12-M10

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说明
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ZAM12-M10
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
易斯孚
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

ZAM12-M10
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
朴熙
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

ZAM12-M10
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
100
易斯孚
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现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

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ZAM12-M10 技术参数

ZAEI-01-UNI 功能描述:SMARTZONE GATEWAY EPA126 SUPPOR 制造商:panduit corp 系列:SmartZone? 零件状态:在售配件类型:网关特性:- 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 ZABG6002Q20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG6002JB20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG6001Q20TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG4002JA16TC 功能描述:MOSFET LOW POWER 4 STAGE FET LNA BIAS CTRLR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZAP-2W ZAP-2Y ZAP-B ZAPDUMODKIT ZAP-R ZAP-W ZAQ-1 ZAQ-2 ZAQ-22 ZAQ-3 ZARKMS-01 ZARKMS-01-NA ZARKMS-01-UNI ZAS141-084-12L-BBU ZAS141-084-12R-BBU ZAURA868100KITG ZAURA868100MODG ZAURA915100KITG