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ZNBG3211Q20TA

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  • 深圳市新良宇电子有限公司
    深圳市新良宇电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8323763213302457603

    地址:福田区振兴路华匀大厦221室

  • 56912

  • Diodes Incorporated

  • IC SPECIALTY ANALOG

  • 23+

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  • 原装现货欢迎来电查询!

  • ZNBG3211Q20TA
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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    资质:营业执照

  • 5000

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  • 假一罚十,百分百原装正品

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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ZNBG3211Q20TA PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
ZNBG3211Q20TA 技术参数
  • ZNBG3210Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3118JA16TC 功能描述:线性稳压器 - 标准 LNA GaAs FET BIAS Polarized Band CNTRL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L ZNBG3115Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3115Q16TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG3113Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.2V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNCL10IL ZNCL10R ZNCL10S ZNCL11 ZNCL3B ZNCL3R ZNCL926 ZN-DPS11C-S ZN-DPS11-S ZN-DPS15C-S ZN-DPS15-S ZN-DPX21-S ZN-DPX21-SA ZNH0060H ZNH0100H ZNH0120H ZNH0500H ZNH0600H
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