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ZNBG6000M

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 2938

  • ZETEX

  • SMD

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  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • ZNBG6000M
    ZNBG6000M

    ZNBG6000M

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

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ZNBG6000M 技术参数
  • ZNBG5116Q24TC 功能描述:MOSFET 7BIAS TONE H/V SWTVE 2.0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNBG4001Q16TC 功能描述:接口 - 专用 4BIAS GENERATOR 2.0V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 ZNBG4001Q16 功能描述:GENERATOR FIXED BIAS RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 其它 IC 和模块 系列:- 标准包装:100 系列:* ZNBG4000Q16TC 功能描述:接口 - 专用 FET BIAS CONTROLLER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 ZNBG3211Q20TC 功能描述:MOSFET 3BIAS TONE H/V SWTCH 2.0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZNCL926 ZN-DPS11C-S ZN-DPS11-S ZN-DPS15C-S ZN-DPS15-S ZN-DPX21-S ZN-DPX21-SA ZNH0060H ZNH0100H ZNH0120H ZNH0500H ZNH0600H ZNH1000H ZNH1200H ZNH1800H ZNH2000H ZNH2500H ZNI1000TA
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