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ZXMS6005DGQ-13

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    ZXMS6005DGQ-13

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 69880

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  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • ZXMS6005DGQ-13
    ZXMS6005DGQ-13

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  • 广州市睿科电子科技有限公司
    广州市睿科电子科技有限公司

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    地址:花都区秀全街花港大道87号5楼

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  • ZXMS6005DGQ-13
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

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    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

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ZXMS6005DGQ-13 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
ZXMS6005DGQ-13 技术参数
  • ZXMS6004SGTA 功能描述:MOSFET MOSFET N CHANNEL INTELLIFET TO-223 GREEN 1K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6004FFTA 功能描述:电源开关 IC - 配电 60V N-Channel self protected RoHS:否 制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻(最大值):85 mOhms 开启时间(最大值):400 us 关闭时间(最大值):20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流(最大值): 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 ZXMS6004DT8TA 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.2A 210mJ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6004DGTA 功能描述:MOSFET INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6003GTA 功能描述:MOSFET 60V IntelliFET Over Current Ctrl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006DT8TA ZXMS6006SGTA ZXNB4200JA16TC ZXNB4201JA16TC ZXNB4202JB16TC ZXRD060AFK-7 ZXRD060FK-7 ZXRD100ANQ16TA ZXRD100APQ16TA ZXRD1033NQ16TA ZXRD1033PQ16TA ZXRD1050NQ16TA ZXRD1050PQ16TA ZXRE060AET5TA ZXRE060AFT4-7 ZXRE060AH5TA ZXRE060ET5TA ZXRE060H5TA
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