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ZXNB4202J16TC

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ZXNB4202J16TC 技术参数

ZXNB4201JA16TC 功能描述:MOSFET BIAS TONE GENERATOR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXNB4200JA16TC 功能描述:MOSFET BIAS TONE GENERATOR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006SGTA 功能描述:MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006DT8TA 功能描述:MOSFET 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXMS6006DGTA 功能描述:MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZXRE060AET5TA ZXRE060AFT4-7 ZXRE060AH5TA ZXRE060ET5TA ZXRE060H5TA ZXRE1004CFTA ZXRE1004CFTC ZXRE1004DFTA ZXRE1004DFTC ZXRE1004DN8TA ZXRE1004DR ZXRE1004DRSTOA ZXRE1004DRSTOB ZXRE1004DRSTZ ZXRE1004EFTA ZXRE1004EFTC ZXRE1004EN8TA ZXRE1004ER