1N34A

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode 65V 0.05A 2-Pin DO-7
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE GERMANIUM
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE, GERMANIUM, 500MA, 65V, DO-7
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STD RECOVERY, 50mA, 65V, DO-7; Diode Type

1N34A 技术参数

1N3477A 功能描述:DIODE ZENER 2.2V 250MW DO-7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N3477 功能描述:DIODE ZENER 2.2V 250MW DO-7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.2V 容差:±10% 功率 - 最大值:250mW 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 标准包装:1 1N3350RB 功能描述:DIODE ZENER 200V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3350B 功能描述:DIODE ZENER 200V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±5% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3350A 功能描述:DIODE ZENER 200V 50W DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±10% 功率 - 最大值:50W 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 10A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 标准包装:1 1N3514A 1N3515A 1N3516A 1N3517A 1N3518A 1N3519A 1N3520A 1N3521A 1N3522A 1N3523A 1N3524A 1N3525A 1N3526A 1N3527A 1N3528A 1N3529A 1N3530A 1N3531A