1N5388B

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功能描述
稳压二极管 200V 5W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N5388B 技术参数

1N5388AE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5388AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 1N5388AE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5388A/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 1N5388A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:200V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:480 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 144V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:T-18，轴向供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 1N5388C/TR8 1N5388CE3/TR12 1N5388CE3/TR13 1N5388CE3/TR8 1N5388E3/TR12 1N5388E3/TR13 1N5388E3/TR8 1N5391 1N5391-E3/54 1N5391-E3/73 1N5391G A0G 1N5391G B0G 1N5391G R0G 1N5391GHA0G 1N5391GHB0G 1N5391GHR0G 1N5391GP-E3/54 1N5391GPHE3/54