1SMA58AT3G

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功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 58V 400W Unidirectional
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
极性
Bidirectional
工作电压
击穿电压
58.9 V
钳位电压
77.4 V
峰值浪涌电流
38.8 A
系列
封装 / 箱体
DO-214AB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C

1SMA58AT3G 技术参数

1SMA58AT3 功能描述:TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:93.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.3A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:225pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:5,000 1SMA54AT3G 功能描述:TVS DIODE 54VWM 87.1VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:87.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.6A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:240pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:5,000 1SMA51AT3G 功能描述:TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:51V 电压 - 击穿（最小值）:56.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:82.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:250pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:5,000 1SMA5.0AT3G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:43.5A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:2.035nF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:1 1SMA5.0AT3 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:43.5A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:2.035nF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:10 1SMA5917BT3 1SMA5917BT3G 1SMA5918BT3 1SMA5918BT3G 1SMA5919BT3 1SMA5919BT3G 1SMA5920BT3 1SMA5920BT3G 1SMA5921BT3G 1SMA5922BT3 1SMA5922BT3G 1SMA5923BT3 1SMA5923BT3G 1SMA5924BT3 1SMA5924BT3G 1SMA5925BT3 1SMA5925BT3G 1SMA5926 M2G