2DB1132R

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2DB1132R 技术参数

2DB1132Q-13 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DB1132P-13 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:190MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DB1119S-13 功能描述:TRANS PNP 25V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:2,500 2DB102K 功能描述:NTC Thermistor 1k Disc, 5.1mm Dia x 0.6mm W 制造商:ametherm 系列:- 包装:散装零件状态:要求报价 25°C 时欧姆阻值:1k 电阻容差:±10% B 值容差:- B0/50:- B25/50:- B25/75:- B25/85:- B25/100:- 工作温度:-55°C ~ 300°C 功率 - 最大值:- 长度 - 引线:- 安装类型:通孔封装/外壳:Disc, 5.1mm Dia x 0.6mm W 标准包装:1,000 2DB102J-EC 功能描述:NTC Thermistor 1k Disc, 5.1mm Dia x 0.6mm W 制造商:ametherm 系列:- 包装:散装零件状态:有效 25°C 时欧姆阻值:1k 电阻容差:±10% B 值容差:- B0/50:- B25/50:- B25/75:- B25/85:- B25/100:- 工作温度:-55°C ~ 300°C 功率 - 最大值:- 长度 - 引线:- 安装类型:通孔封装/外壳:Disc, 5.1mm Dia x 0.6mm W 标准包装:1,000 2DB151J 2DB151K 2DB1689-7 2DB1694-7 2DB1697-13 2DB1713-13 2DB1714-13 2DB-52P 2DB-52PA156 2DB-52PA156A183 2DB-52PA183 2DB52PBR 2DB52PBRP 2DB52P-F0 2DB-52PF171 2DB-52PF171F0 2DB-52PF172 2DB-52PF172F0