2N583

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2N583 技术参数

2N5822 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:750mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:70V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 2mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,000 2N5796U 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5796 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5795 功能描述:TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:2 PNP（双）电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-78-6 金属罐供应商器件封装:TO-78-6 标准包装:1 2N5794U 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5874 2N5875 2N5876 2N5877 2N5878 2N5879 2N5880 2N5881 2N5882 2N5883 2N5883G 2N5884 2N5884G 2N5885 2N5885G 2N5886 2N5886G 2N5912