2N6027RLRAG

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功能描述
SCR 40V 300mW PUT
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
最大转折电流 IBO
480 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
开启状态 RMS 电流 (It RMS)
正向电压下降
1.6 V
栅触发电压 (Vgt)
1.3 V
最大栅极峰值反向电压
5 V
栅触发电流 (Igt)
35 mA
保持电流（Ih 最大值）
75 mA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Tube

2N6027RLRAG 技术参数

2N6027RLRA 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）标准包装:10 2N6027RL1G 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）标准包装:1 2N6027RL1 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）标准包装:2,000 2N6027G 功能描述:TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:过期电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:11V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）标准包装:5,000 2N6027 功能描述:PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件状态:在售电压:40V 功率耗散（最大值）:300mW 电压 - 输出:6V 电压 - 偏移（Vt）:1.6V 电流 - 栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流 - 谷值（Iv）:50μA 电流 - 峰值:2μA 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）标准包装:2,500 2N6035G 2N6036 2N6036G 2N6038 2N6038G 2N6039 2N6039G 2N6040 2N6040G 2N6041 2N6042 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049