2N6487

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Medium Power
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N6487 技术参数

2N6486 功能描述:TRANS NPN 40V 15A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3.5V @ 5A，15A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 5A，4V 功率 - 最大值:1.8W 频率 - 跃迁:5MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 2N6438 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6436 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6433 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:1.8W 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 2N6432 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:1.8W 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 2N6502 2N6504G 2N6505G 2N6505TG 2N6507G 2N6507TG 2N6508G 2N6508TG 2N6509G 2N6509T 2N6509TG 2N6515 2N6515RLRM 2N6515RLRMG 2N6517 2N6517BU 2N6517CBU 2N6517CTA