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2SD2098

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制造商
KEXIN
制造商全称
Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
功能描述
Low VCE(sat) Transistor

2SD2098 技术参数

2SD2097TV2R 功能描述:TRANS NPN 20V 5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SD2097TV2Q 功能描述:TRANS NPN 20V 5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SD2096T114E 功能描述:TRANS NPN 60V 3A HRT/TO-220FP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1.8W 频率 - 跃迁:8MHz 安装类型:通孔封装/外壳:HRT 供应商器件封装:HRT 标准包装:1 2SD2083 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 25A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 24mA，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 12A，4V 功率 - 最大值:120W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SD2082 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 16A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:16A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 16mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 8A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SD21330SA 2SD21340RA 2SD21360QA 2SD21360RA 2SD2137APA 2SD2138APA 2SD2138AQA 2SD21390PA 2SD2141 2SD2142KT146 2SD2143TL 2SD2144STPU 2SD2144STPV 2SD2144STPW 2SD2150T100R 2SD2150T100S 2SD2153T100U 2SD2153T100V