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2SK2985

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  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SK2985 技术参数
  • 2SK2967(F) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):132nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5400pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P(N) 标准包装:50 2SK2963(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):140pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PW-MINI 标准包装:1 2SK2962,T6WNLF(M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装 零件状态:停產 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92MOD 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 标准包装:1 2SK2962,T6WNLF(J 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装 零件状态:停產 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92MOD 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 标准包装:1 2SK2962,T6F(M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包装:散装 零件状态:停產 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92MOD 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 标准包装:1 2SK3018T106 2SK3018-TP 2SK3019TL 2SK3019-TP 2SK302200L 2SK302500L 2SK303000L 2SK303100L 2SK3043 2SK3044 2SK3045 2SK3046 2SK3047 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100
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