AO6414

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功能描述
MOSFET N-CH 55V 2.3A 6-TSOP
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

AO6414 技术参数

AO6411 功能描述:MOSFET P-CH 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1025pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:6-TSOP 封装/外壳:SC-74，SOT-457 标准包装:3,000 AO6409A_102 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6TSOT 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:3,000 AO6409A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 5.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:905pF @ 10V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6409_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6TSOT 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:3,000 AO6409_102 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 10V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6608 AO6701 AO6704 AO6800 AO6800L_003 AO6801A AO6801E AO6802 AO6802L_001 AO6804 AO6804A AO6804A_101 AO6808 AO6808_101 AO6810 AO7400 AO7401 AO7403