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BAS116LT1

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  • 功能描述
  • 二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mA
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 产品
  • Switching Diodes
  • 峰值反向电压
  • 600 V
  • 正向连续电流
  • 200 A
  • 最大浪涌电流
  • 800 A
  • 配置
  • 恢复时间
  • 2000 ns
  • 正向电压下降
  • 1.25 V
  • 最大反向漏泄电流
  • 300 uA
  • 最大功率耗散
  • 工作温度范围
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • ISOTOP
  • 封装
  • Tube
BAS116LT1 技术参数
  • BAS116LPH4-7B 功能描述:Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount X2-DFN1006-2 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):85V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:X2-DFN1006-2 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116LP3-7 功能描述:Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount 2-X3-DFN0603 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):85V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.35V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:3pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:2-X3-DFN0603 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116H,115 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 工作温度 - 结:150°C(最大) 基本零件编号:BAS116 标准包装:1 BAS116GWX 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 BAS116GWJ 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 BAS116V-7 BAS12504WE6327HTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 BAS12505WE6327HTSA1 BAS12505WH6327XTSA1 BAS12507WE6327HTSA1 BAS12507WH6327XTSA1 BAS140WE6327HTSA1 BAS16 BAS16 RFG BAS16,215 BAS16,235 BAS16_D87Z BAS16_L99Z BAS16_S00Z BAS1602LE6327XTMA1 BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602WH6327XTSA1
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