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BAS116T-7-F

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BAS116T-7-F PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 整流器 85V 150mW
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
BAS116T-7-F 技术参数
  • BAS116T-7 功能描述:Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):85V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116T,115 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SC-75 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 BAS116QAZ 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):300mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010D-3 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116LYL 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):325mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 BAS116LT3G 功能描述:Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):200mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:2pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 BAS140WE6327HTSA1 BAS16 BAS16 RFG BAS16,215 BAS16,235 BAS16_D87Z BAS16_L99Z BAS16_S00Z BAS1602LE6327XTMA1 BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602WH6327XTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 BAS16-7 BAS16-7-F BAS16-D87Z BAS16D-E3-08 BAS16D-E3-18 BAS16D-G3-08
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