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BC856BDW1T1G

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BC856BDW1T1G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual PNP
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
BC856BDW1T1G 技术参数
  • BC856BDW1T1 功能描述:TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:380mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363 标准包装:3,000 BC856B-7-F 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BC856B-13-F 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:310mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:10,000 BC856B/DG/B3,235 功能描述:TRANS GEN PURPOSE TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标准包装:10,000 BC856B/DG/B3,215 功能描述:TRANS GEN PURPOSE TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 标准包装:3,000 BC856BM-TP BC856BMYL BC856BS,115 BC856BS,135 BC856BS/DG/B2,115 BC856BS/DG/B3X BC856BS/ZLF BC856BS/ZLX BC856BT TR BC856BT,115 BC856B-TP BC856BW,115 BC856BW,135 BC856BW/DG/B2,115 BC856BW/DG/B3X BC856BW/ZLF BC856BW/ZLX BC856BW-7-F
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