BD242C

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功能描述
两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BD242C 技术参数

BD242B-S 功能描述:TRANS PNP 90V 3A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:90V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:* 封装/外壳:- 供应商器件封装:* 标准包装:15,000 BD242BG 功能描述:TRANS PNP 80V 3A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A，4V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BD242B 功能描述:TRANS PNP 80V 3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BD242ATU 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A，4V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 BD242A-S 功能描述:TRANS PNP 60V 3A 制造商:bourns inc. 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:15,000 BD243B-S BD243BTU BD243C BD243CG BD243C-S BD243CTU BD243-S BD243TU BD244A BD244A-S BD244ATU BD244B BD244BG BD244B-S BD244BTU BD244C BD244CG BD244C-S