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BLF6G20LS-110

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功能描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶体管极性
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
汲极/源极击穿电压
漏极连续电流
闸/源击穿电压
最大工作温度
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Tray

BLF6G20LS-110 技术参数

BLF6G20-75,112 功能描述:TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:19dB 电压 - 测试:28V 额定电流:18A 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA 功率 - 输出:29.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502A 供应商器件封装:LDMOST 标准包装:20 BLF6G20-45,135 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 360mA 1.8GHz ~ 1.88GHz 19.2dB 2.5W CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:1.8GHz ~ 1.88GHz 增益:19.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:360mA 功率 - 输出:2.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608A 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:300 BLF6G20-45,112 功能描述:FET RF 65V 1.88GHZ SOT-608A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:1.8GHz ~ 1.88GHz 增益:19.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:360mA 功率 - 输出:2.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608A 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:20 BLF6G20-40,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 360mA 1.8GHz ~ 1.88GHz 18.8dB 2.5W CDFM2 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:过期晶体管类型:LDMOS 频率:1.8GHz ~ 1.88GHz 增益:18.8dB 电压 - 测试:28V 额定电流:13A 噪声系数:- 电流 - 测试:360mA 功率 - 输出:2.5W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-608A 供应商器件封装:CDFM2 标准包装:20 BLF6G20-230PRN,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2A 1.8GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 65W SOT539A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:LDMOS（双），共源频率:1.8GHz ~ 1.88GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A 功率 - 输出:65W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标准包装:100 BLF6G20S-230PRN:11 BLF6G20S-45,112 BLF6G20S-45,118 BLF6G21-10G,112 BLF6G21-10G,135 BLF6G22-180PN,112 BLF6G22-180PN,135 BLF6G22-180RN,112 BLF6G22-45,112 BLF6G22-45,135 BLF6G22L-40BN,112 BLF6G22L-40BN,118 BLF6G22L-40P,112 BLF6G22L-40P,118 BLF6G22LS-100,112 BLF6G22LS-100,118 BLF6G22LS-130,112 BLF6G22LS-130,118