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BSD235N

配单专家企业名单
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  • BSD235NH6327XTSA1
    BSD235NH6327XTSA1

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  • 深圳市瑞斯特电子科技有限公司
    深圳市瑞斯特电子科技有限公司

    联系人:杨锐锋

    电话:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田区华强广场二楼Q2B046

  • 63000

  • INFINEON

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  • BSD235N
    BSD235N

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-83789203多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • INFINEON

  • 原厂原装

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  • 原装正品,优势供应

  • BSD235N
    BSD235N

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  • 深圳市十德盛科技有限公司
    深圳市十德盛科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8271907113336545634

    地址:深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09

    资质:营业执照

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  • Infineon(英飞凌)

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  • 全新原装现货

  • BSD235N H6327
    BSD235N H6327

    BSD235N H6327

  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Infineon

  • 22+

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  • 原装正品

  • BSD235N H6327
    BSD235N H6327

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  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

  • 59880

  • INF

  • 21+

  • -
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  • BSD235N L6327
    BSD235N L6327

    BSD235N L6327

  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

    地址:中航路都会轩3607

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  • Infineon Technologies

  • PG-SOT363-6

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  • BSD235NH6327XTSA1
    BSD235NH6327XTSA1

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

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  • INFINEON APAC (CHINA)

  • 主营优势

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  • BSD235NH6327
    BSD235NH6327

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  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人:胡庆伟

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    地址:深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全称
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • OptiMOS?2 Small-Signal-Transistor
BSD235N 技术参数
  • BSD235CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):950mA,530mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 950mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD235C L6327 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):950mA,530mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 950mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD223PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):390mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD223P L6327 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):390mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 BSD223P 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):390mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:1 BSD840N L6327 BSD840NH6327XTSA1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2
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