BSS123L

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS123L
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
ON
22+
-
原装正品

BSS123LT1
深圳市粤科源兴科技有限公司
深圳市粤科源兴科技有限公司
联系人：谢先生
电话：13392885468
地址：深圳市福田区华强路赛格广场大厦69楼6998室/华强电子世界三期4C159-160室
资质：营业执照
3308
ON
13+
-
原装现货/价格优势

BSS123LT1
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
12551
ON
SOT23
15+
-
只做原装正品现货价格优势

BSS123L6327HTSA1
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
9800
Infineon Technologies
PG-SOT23-3
19+
-
代理直销！进口原装正品！

BSS123L
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 170MA I(D) | SOT-23

BSS123L 技术参数

BSS123E6327 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS123ATC 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BSS123ATA 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:25pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS123-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS123-7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS123TA BSS123TC BSS123W BSS123W-7 BSS123W-7-F BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D BSS-125-01-H-D-A BSS-125-01-L-D BSS-125-01-L-D-A BSS-125-01-L-D-A-TR BSS126 E6327 BSS126 E6906 BSS126 H6327 BSS126 H6906