BSZ160N10NS3_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSZ160N10NS3

配单专家企业名单

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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

BSZ160N10NS3
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8255607918123760669
地址：深圳市福田区上步工业区23栋上航大厦西座410
资质：营业执照
5000
INFINEON
DTSON-8
21+
-

BSZ160N10NS3G
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
21+
9000
DSBGA-16
-
进口原装现货支持实单价优

BSZ160N10NS3G
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
INFINEON/英飞凌
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

BSZ160N10NS3G
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
infineon/
DFN-83.33
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

BSZ160N10NS3GATMA1
深圳市桂鹏科技有限公司
深圳市桂鹏科技有限公司
联系人：田小姐/高先生/李小姐
电话：0755-828102988281039882810298
地址：深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D（地王大厦周边）
资质：营业执照
82810298
Infineon
15+
-
深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

BSZ160N10NS3GATMA1
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
联系人：杨锐锋
电话：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田区华强广场二楼Q2B046
5000
INFINEON
-
高品质！价格美丽！

BSZ160N10NS3
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
12960
Infineon(英飞凌)
21+
-
全新原装现货

BSZ160N10NS3 G
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
59880
INF
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

BSZ160N10NS3G
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
42672
INFINEON
SON8
咨询
-
库存每天变动，最好QQ咨询

BSZ160N10NS3G
深圳市正永电子有限公司
深圳市正永电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-23930354
地址：中航路都会轩3607
695
Infineon
集成电路
20+
-
进口原装正品，服务VIP

BSZ160N10NS3GATMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
INFINEON APAC (CHINA)
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

BSZ160N10NS3G
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
4150
INF
ORIGONAL
16+
-
0.47318 USD,szpoweri...

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BSZ160N10NS3 技术参数

BSZ15DC02KDHXTMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.1A， 3.2A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 5.1A， 4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ150N10LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ146N10LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:在售安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSZ130N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ130N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P