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BUK9Y30-75B

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
Trans MOSFET N-CH 75V 34A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Cut Tape
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 75V 34A SOT669
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH 75V 34A SOT669

BUK9Y30-75B 技术参数

BUK9Y29-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:664pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:37W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y27-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 34A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:959pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59.4W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 15A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y25-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17.1nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2703pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27 毫欧 @ 10A，5V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y25-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:65W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21.5 毫欧 @ 10A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y22-30B,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:940pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59.4W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y59-60E,115 BUK9Y65-100E,115 BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y72-80E,115 BUK9Y7R2-60E,115 BUK9Y7R6-40E,115 BUK9Y7R8-80E,115 BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y98-80E,115 BUK9Y9R9-80E,115 BU-L0000-375 BU-L0000-375TIN BU-L0000-500TIN BU-L000-500TIN