BUT11ATU

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功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

BUT11ATU 技术参数

BUT11APX-1200,127 功能描述:TRANS NPN 550V 6A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:550V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 400mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:32W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1,000 BUT11APX,127 功能描述:TRANS NPN 450V 5A SOT186A 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:14 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:32W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片供应商器件封装:TO-220F 标准包装:3,000 BUT11AI,127 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 330mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:14 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:5,000 BUT11AFTU 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 BUT11A 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:83W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 BUT70W BUT90 BUT92 BUTW92 BUV20 BUV21G BUV22 BUV22G BUV26 BUV26G BUV27 BUV27G BUV298AV BUV298V BUV48A BUV98AV BUW48 BUX10