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BZV85-C12

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE ZENER 12V 1.3W
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE, ZENER, 12V, 1.3W
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
12V Zener diode,BZX85C12 1.3W

BZV85-C12 技术参数

BZV85-C11,133 功能描述:Zener Diode 11V 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL 标准包装:5,000 BZV85-C11,113 功能描述:Zener Diode 11V 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7.7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL 标准包装:5,000 BZV85-C10,133 功能描述:DIODE ZENER 10V 1.3W DO41 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 BZV85-C10,113 功能描述:Zener Diode 10V 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL 标准包装:5,000 BZV55C9V1-TP 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±6% Surface Mount Mini MELF 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:迷你型 MELF 标准包装:1 BZV85-C18,133 BZV85-C20,113 BZV85-C20,133 BZV85-C22,113 BZV85-C22,133 BZV85-C24,113 BZV85-C24,133 BZV85-C27,113 BZV85-C27,133 BZV85-C30,113 BZV85-C30,133 BZV85-C33,113 BZV85-C33,133 BZV85-C36,113 BZV85-C36,133 BZV85-C39,113 BZV85-C39,133 BZV85-C3V6,113