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CY62177DV30LL-55BAXI

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  • 功能描述
  • 静态随机存取存储器 SLO 3V SUPER LO PWR 1MEGX 6 IND
  • RoHS
  • 制造商
  • Cypress Semiconductor
  • 存储容量
  • 16 Mbit
  • 组织
  • 1 M x 16
  • 访问时间
  • 55 ns
  • 电源电压-最大
  • 3.6 V
  • 电源电压-最小
  • 2.2 V
  • 最大工作电流
  • 22 uA
  • 最大工作温度
  • + 85 C
  • 最小工作温度
  • - 40 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • TSOP-48
  • 封装
  • Tray
CY62177DV30LL-55BAXI 技术参数
  • CY62168EV30LL-45BVXIT 功能描述:静态随机存取存储器 3V SUPER LoPwr 1MEGX16 PbFree 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62168EV30LL-45BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 16MB (2Mx8) 3v 45ns Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62168DV30LL-55BVXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:MoBL® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY62168DV30LL-55BVXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:MoBL® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY62168DV30LL-55BVIT 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62187EV18LL-70BAXI CY62187EV18LL-70BAXIT CY62187EV30LL-55BAXI CY62187EV30LL-55BAXIT CY62256EV18LL-70SNXI CY62256EV18LL-70SNXIT CY62256L-70PC CY62256L-70PXC CY62256L-70SNC CY62256L-70SNXC CY62256L-70SNXCT CY62256L-70SNXI CY62256L-70SNXIT CY62256LL-55SNXI CY62256LL-55SNXIT CY62256LL-55ZXI CY62256LL-55ZXIT CY62256LL-70PC
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