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CY62256NLL-55SNXIT

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功能描述
静态随机存取存储器 256K (32K x 8) Static RAM
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存储容量
16 Mbit
组织
1 M x 16
访问时间
55 ns
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.2 V
最大工作电流
22 uA
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
封装
Tray

CY62256NLL-55SNXIT 技术参数

CY62256NLL-55SNXI 功能描述:静态随机存取存储器 SLo 5.0V ULTRA LoPwr 32Kx8 PbFree 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62256NLL-55SNXET 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V ULTRA LO PWR 32KX8 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62256NLL-55SNXE 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V ULTRA LO PWR 32KX8 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62256NL-70SNXI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:MoBL® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY62256NL-70SNXCT 功能描述:IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:MoBL® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY62256NLL-70SNXA CY62256NLL-70SNXAT CY62256NLL-70SNXC CY62256NLL-70SNXCT CY62256NLL-70ZRXI CY62256NLL-70ZRXIT CY62256VLL-70SNC CY62256VLL-70SNXC CY62256VLL-70SNXCT CY62256VLL-70ZC CY62256VLL-70ZRXI CY62256VLL-70ZRXIT CY62256VLL-70ZXC CY62256VLL-70ZXCT CY62256VLL-70ZXI CY62256VLL-70ZXIT CY62256VNLL-70SNXC CY62256VNLL-70SNXCT