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CY7C1021CV33-12ZXI

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CY7C1021CV33-12ZXI PDF下载

功能描述
IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP
RoHS
是
类别
集成电路 (IC) >> 存储器
系列
-
标准包装
1,000
系列
-
格式 - 存储器
RAM
存储器类型
移动 SDRAM
存储容量
256M（8Mx32）
速度
133MHz
接口
并联
电源电压
1.7 V ~ 1.95 V
工作温度
-40°C ~ 85°C
封装/外壳
90-VFBGA
供应商设备封装
90-VFBGA（8x13）
包装
带卷 (TR)
其它名称
557-1327-2

CY7C1021CV33-12ZXI 技术参数

CY7C1021CV33-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1021CV33-12ZXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1021CV33-12ZSXET 功能描述:静态随机存取存储器 64K X 16 3.3V RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1021CV33-12ZSXE 功能描述:静态随机存取存储器 64K X 16 3.3V RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1021CV33-12VXIT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C1021CV33-15ZXI CY7C1021CV33-15ZXIT CY7C1021CV33-8VXC CY7C1021CV33-8VXCT CY7C1021CV33-8ZXC CY7C1021CV33-8ZXCT CY7C1021D-10VXI CY7C1021D-10VXIT CY7C1021D-10ZSXA CY7C1021D-10ZSXAT CY7C1021D-10ZSXI CY7C1021D-10ZSXIT CY7C1021DV33-10BVXI CY7C1021DV33-10BVXIT CY7C1021DV33-10VXI CY7C1021DV33-10VXIT CY7C1021DV33-10ZSXA CY7C1021DV33-10ZSXAT