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CY7C131-25JC

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功能描述
IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC
RoHS
否
类别
集成电路 (IC) >> 存储器
系列
-
标准包装
96
系列
-
格式 - 存储器
闪存
存储器类型
FLASH
存储容量
16M（2M x 8，1M x 16）
速度
70ns
接口
并联
电源电压
2.65 V ~ 3.6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C
封装/外壳
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商设备封装
48-TSOP
包装
托盘

CY7C131-25JC 技术参数

CY7C13121KV18-300BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FPBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线）电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) CY7C1311SV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 2MX8 QDRII 165-FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1311KV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 250MHz QDR II QDR II + 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1311CV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1311CV18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1312BV18-200BZXC CY7C1312BV18-250BZC CY7C1312CV18-167BZC CY7C1312CV18-167BZI CY7C1312CV18-200BZC CY7C1312CV18-250BZC CY7C1312CV18-250BZI CY7C1312CV18-250BZXC CY7C1312KV18-250BZC CY7C1312KV18-250BZCT CY7C1312KV18-250BZI CY7C1312KV18-250BZXC CY7C1312KV18-250BZXCT CY7C1312KV18-250BZXI CY7C1312KV18-300BZC CY7C1312KV18-300BZXC CY7C1312KV18-300BZXCT CY7C1312KV18-300BZXI