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CY7C1314KV18-250BZ

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  • CY7C1314KV18-250BZXC
    CY7C1314KV18-250BZXC

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  • 科创特电子(香港)有限公司
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CY7C1314KV18-250BZ 技术参数
  • CY7C1314JV18-250BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1314CV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1314CV18-200BZI 功能描述:静态随机存取存储器 18-Mbit QDR-II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1314CV18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1314CV18-167BZC 功能描述:静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1314SV18-250BZC CY7C1314TV18-167BZC CY7C131-55JXC CY7C131-55JXCT CY7C131-55JXI CY7C131-55JXIT CY7C131-55NXC CY7C131-55NXCT CY7C131-55NXI CY7C1315BV18-167BZC CY7C1315BV18-167BZCT CY7C1315BV18-200BZC CY7C1315BV18-200BZI CY7C1315BV18-200BZXC CY7C1315BV18-200BZXI CY7C1315BV18-250BZC CY7C1315BV18-250BZXC CY7C1315CV18-167BZC
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