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DS1251Y-70

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功能描述
实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock
RoHS
否
制造商
Microchip Technology
功能
Clock, Calendar. Alarm
RTC 总线接口
I2C
日期格式
DW
时间格式
HH
RTC 存储容量
64 B
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
1.8 V
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-8
封装
Tube

DS1251Y-70 技术参数

DS1251WP-C02+ 功能描述:实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1251WP-C01+ 功能描述:实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1251WP-120IND+ 功能描述:实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1251WP-120IND 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 120NS 34PCM RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 实时时钟系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:时钟/日历特点:警报器，闰年，SRAM 存储容量:- 时间格式:HH:MM:SS（12/24 小时）数据格式:YY-MM-DD-dd 接口:SPI 电源电压:2 V ~ 5.5 V 电压 - 电源，电池:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商设备封装:8-TDFN EP 包装:管件 DS1251WP-120+ 功能描述:实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube DS1258AB-100 DS1258AB-100# DS1258AB-70 DS1258AB-70# DS1258AB-70IND# DS1258W-100 DS1258W-100# DS1258W-100IND# DS1258W-150 DS1258W-150# DS1258Y-100 DS1258Y-100# DS1258Y-70 DS1258Y-70# DS1258Y-70IND# DS1259 DS1259+ DS1259N