GBU808

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

3/3页 40条/页共109条
上一页 1 2 3

您是不是要找： GBU808-G GBU808GTB GBU808TB GBU810 GBU810-G GBU810GTB GBU810TB GBU8A GBU8A-BP

GBU808 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

GBU808 PDF下载

功能描述
桥式整流器 8.0A 800V
RoHS
否
制造商
Vishay
产品
Single Phase Bridge
峰值反向电压
1000 V
最大 RMS 反向电压
正向连续电流
4.5 A
最大浪涌电流
450 A
正向电压下降
1 V
最大反向漏泄电流
10 uA
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
长度
30.3 mm
宽度
4.1 mm
高度
20.3 mm
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SIP-4
封装
Tube

GBU808 技术参数

GBU806TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 8A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU806GTB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 8A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU6J 功能描述:DIODE BRIDGE 600V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:6A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，GBU 供应商器件封装:GBU 标准包装:500 GBU6B 功能描述:DIODE BRIDGE 100V 6A GBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - DC 正向（If）:6A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，GBU 供应商器件封装:GBU 标准包装:500 GBU610TB 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:1kV 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 6A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-ESIP 供应商器件封装:GBU 标准包装:20 GBU8A-E3/45 GBU8A-E3/51 GBU8A-M3/45 GBU8A-M3/51 GBU8B GBU8B-BP GBU8B-E3/45 GBU8B-E3/51 GBU8B-M3/45 GBU8B-M3/51 GBU8D GBU8D-BP GBU8D-E3/45 GBU8D-E3/51 GBU8D-M3/45 GBU8D-M3/51 GBU8G GBU8G-BP