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GL358

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  • 制造商
  • HYNIX
  • 制造商全称
  • Hynix Semiconductor
  • 功能描述
  • DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER
GL358 技术参数
  • GL2R0KA7B250 功能描述:2μH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.45 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包装:散装 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:2μH 容差:±10% 额定电流:250mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):1.45 欧姆 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:- 安装类型:通孔 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.102"?长 x 0.065" 方椎体(2.59mm x 1.65mm) 高度 - 安装(最大值):- 标准包装:1 GL2L5MS450D-C 功能描述:4.5ns ±0.100nS Inductor Delay Line 100mA 50 Ohm 16-SOIC (0.239", 6.06mm Width) 制造商:susumu 系列:GL2L 包装:散装 零件状态:过期 延迟时间:4.5ns 容差:±0.100nS 电流:100mA DC 电阻(DCR):1 欧姆最大 阻抗:50 欧姆 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.239",6.06mm 宽) 标准包装:100 GL2L5MS400D-C 功能描述:4.0ns ±0.100nS Inductor Delay Line 100mA 50 Ohm 16-SOIC (0.239", 6.06mm Width) 制造商:susumu 系列:GL2L 包装:散装 零件状态:过期 延迟时间:4.0ns 容差:±0.100nS 电流:100mA DC 电阻(DCR):1 欧姆最大 阻抗:50 欧姆 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.239",6.06mm 宽) 标准包装:100 GL2L5MS350D-C 功能描述:3.5ns ±0.100nS Inductor Delay Line 100mA 50 Ohm 16-SOIC (0.239", 6.06mm Width) 制造商:susumu 系列:GL2L 包装:散装 零件状态:过期 延迟时间:3.5ns 容差:±0.100nS 电流:100mA DC 电阻(DCR):1 欧姆最大 阻抗:50 欧姆 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.239",6.06mm 宽) 标准包装:100 GL2L5MS300D-C 功能描述:3.0ns -0.5/+0.1 nS Inductor Delay Line 100mA 50 Ohm 16-SOIC (0.239", 6.06mm Width) 制造商:susumu 系列:GL2L 包装:散装 零件状态:过期 延迟时间:3.0ns 容差:-0.5/+0.1 nS 电流:100mA DC 电阻(DCR):1 欧姆最大 阻抗:50 欧姆 工作温度:-25°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.239",6.06mm 宽) 标准包装:100 GL41A-E3/97 GL41AHE3/96 GL41AHE3/97 GL41B/54 GL41B-E3/96 GL41B-E3/97 GL41BHE3/96 GL41BHE3/97 GL41D/54 GL41D-E3/96 GL41D-E3/97 GL41DHE3/96 GL41DHE3/97 GL41G/54 GL41G-E3/96 GL41G-E3/97 GL41GHE3/96 GL41GHE3/97
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