HMC349LP4

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HMC349LP4 技术参数

HMC349AMS8GETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 3GHz（标准）插损 @ 频率:1.2dB @ 3GHz IIP3:53dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-MSG 标准包装:1 HMC349AMS8GE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 8-MSG 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:有效频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 3GHz（标准）插损 @ 频率:1.2dB @ 3GHz IIP3:53dBm（最小）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-MSG 标准包装:1 HMC349ALP4CETR 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:62dB @ 4GHz（标准）插损 @ 频率:1.4dB @ 4GHz IIP3:53dBm（标准）拓扑:- 电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:5V RF 类型:通用封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（4x4）标准包装:1 HMC349ALP4CE 功能描述:RF Switch IC General Purpose SPDT 4GHz 50 Ohm 16-QFN (4x4) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪带零件状态:有效频率?- 下:DC 频率?- 上:4GHz 隔离 @ 频率:62dB @ 4GHz（标准）插损 @ 频率:1.4dB @ 4GHz IIP3:- 拓扑:吸收性电路:SPDT P1dB:34dBm 特性:- 阻抗:50 欧姆工作温度:-40°C ~ 85°C 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V RF 类型:通用封装/外壳:16-VQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-QFN（4x4）标准包装:1 HMC348LP3ETR 功能描述:RF Switch IC Cellular, CATV SPDT 2.5GHz 50 Ohm, 75 Ohm 16-SMT (3x3) 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期频率?- 下:DC 频率?- 上:2.5GHz 隔离 @ 频率:50dB @ 2.5GHz（标准）插损 @ 频率:0.7dB @ 2.5GHz IIP3:51dBm（标准）拓扑:吸收性电路:SPDT P1dB:28dBm（标准） P1dB 特性:- 阻抗:50 欧姆，75 欧姆工作温度:-40°C ~ 185°C 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V RF 类型:手机，CATV 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:16-SMT（3x3）标准包装:1 HMC356LP3TR HMC3587LP3BE HMC3587LP3BETR HMC358MS8GE HMC358MS8GETR HMC35DRAH HMC35DRAH-S734 HMC35DRAI HMC35DRAI-S734 HMC35DRAN HMC35DRAN-S734 HMC35DRAS HMC35DRAS-S734 HMC35DREF HMC35DREF-S13 HMC35DREF-S734 HMC35DREH HMC35DREH-S13