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IPP60R190C6

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功能描述
MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

IPP60R190C6 技术参数

IPN10ELSXUMA1 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否制造商:Infineon Technologies 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Reel IPM6220ACAZ-T 功能描述:电流型 PWM 控制器 30V CS80 FSC PROCESS W/IMPROVED ESD STRUC RoHS:否制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 IPM6220ACAZA-T 功能描述:电流型 PWM 控制器 W/ANEAL 30V CS80 FSC PROCESS W/IMPROVED RoHS:否制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 IPM6220ACAZ 功能描述:电流型 PWM 控制器 30V CS80 FSC PROCESS W/IMPROVED ESD STRUC RoHS:否制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 IPM300 功能描述:POWER SUPPLY DC/DC 300W 制造商:artesyn embedded technologies 系列:IPM300 包装:散装零件状态:过期类型:隔离模块输出数:2 电压 - 输入（最小值）:36V 电压 - 输入（最大值）:75V 电压 - 输出 1:3.3V 电压 - 输出 2:5V 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:3.6A，150mA 功率（W） - 制造系列:12.6W 电压 - 隔离:2.25kV（2250V）应用:ITE（商业）特性:OVP，SCP，UVLO 安装类型:通孔封装/外壳:18-DIP 模块大小/尺寸:2.30" 长 x 1.45" 宽 x 0.58" 高（58.4mm x 36.8mm x 14.7mm）工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:98% 功率（W） - 最大值:12.6W 标准包装:64 IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280CFD7XKSA1 IPP60R280E6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P7XKSA1 IPP60R299CPXKSA1 IPP60R330P6XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 IPP60R380C6 IPP60R380C6XKSA1 IPP60R380E6XKSA1 IPP60R380P6XKSA1 IPP60R385CPXKSA1 IPP60R450E6 IPP60R450E6XKSA1 IPP60R520C6 IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520CPXKSA1