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IR2010STR

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IR2010STR 技术参数
  • IR2010SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI & LO SIDE DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2010PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2000A 功能描述:12:1 DUAL LASER INFRARED THERMOM 制造商:klein tools, inc. 系列:- 零件状态:在售 类型:手持型,枪形 温度显示:C°/F° 温度范围:-76 ~ 1022°F(-60 ~ 550°C) 显示类型:LCD 输入类型:红外线 特性:自动切断,背光,激光瞄准器,最小/最大/离差值/平均值 探头类型:K 电池尺寸:AAA(2) 包括:电池,电缆 标准包装:1 IR19-315C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 65mA 0.2mW/sr @ 20mA 140° 0603 (1608 Metric) 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:140° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 标准包装:1 IR19-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 65mA 0.2mW/sr @ 20mA 150° 0603 (1608 Metric) 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):0.2mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:150° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0603(1608 公制) 标准包装:1 IR201A IR204 IR204/H16/L10 IR204/H60 IR204-A IR204C/H16/L10 IR204C-A IR2085S IR2085STR IR2085STRPBF IR2086SPBF IR2086STRPBF IR2101 IR21014 IR21014S IR2101PBF IR2101S IR2101SPBF
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