IR2117

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功能描述
IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-DIP
RoHS
否
类别
集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
50
系列
-
配置
高端
输入类型
非反相
延迟时间
200ns
电流 - 峰
250mA
配置数
1
输出数
1
高端电压 - 最大（自引导启动）
600V
电源电压
12 V ~ 20 V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
通孔
封装/外壳
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商设备封装
8-DIP
包装
管件
其它名称
*IR2127

IR2117 技术参数

IR2114SSTRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2114SSPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2114SS 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 24-SSOP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IR21141SSTRPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR21141SSPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V HALF BRDG DRVR IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR2121 IR2121PBF IR2122 IR2125 IR2125PBF IR2125S IR2125SPBF IR2125STR IR2125STRPBF IR2127 IR21271 IR21271PBF IR21271S IR21271SPBF IR21271STR IR21271STRPBF IR2127PBF IR2127SPBF