IR21814STRPBF

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

3/3页 40条/页共107条
上一页 1 2 3

您是不是要找： IR2181PBF IR2181S IR2181SPBF IR2181STRPBF IR2182 IR21824 IR21824S IR2182S IR2183

IR21814STRPBF PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

IR21814STRPBF PDF下载

功能描述
功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt
RoHS
否
制造商
Micrel
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升时间
下降时间
电源电压-最大
30 V
电源电压-最小
2.75 V
电源电流
最大功率耗散
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube

IR21814STRPBF 技术参数

IR21814STR 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW 600V 14-SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IR21814SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR21814S 功能描述:IC DRIVER HI/LO 600V 1.9A 14SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IR21814PBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube IR21814 功能描述:IC DRIVER HI/LOW 600V 1.9A 14DIP RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 IR21834 IR21834PBF IR21834SPBF IR21834STR IR21834STRPBF IR2183PBF IR2183S IR2183SPBF IR2183STR IR2183STRPBF IR2184 IR21844 IR21844PBF IR21844S IR21844SPBF IR21844STRPBF IR2184PBF IR2184S