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ISL6605IR

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  • 功能描述
  • IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-QFN
  • RoHS
  • 类别
  • 集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 50
  • 系列
  • -
  • 配置
  • 低端
  • 输入类型
  • 非反相
  • 延迟时间
  • 40ns
  • 电流 - 峰
  • 9A
  • 配置数
  • 1
  • 输出数
  • 1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)
  • -
  • 电源电压
  • 4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度
  • -40°C ~ 125°C
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
  • 供应商设备封装
  • TO-263
  • 包装
  • 管件
ISL6605IR 技术参数
  • ISL6605IBZ-T 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 ISL6605IBZ 功能描述:IC DRIVER MOSFET DUAL SYNC 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:半桥 输入类型:PWM 延迟时间:25ns 电流 - 峰:1.6A 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大(自引导启动):118V 电源电压:9 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M ISL6605IB-T 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 ISL6605IB 功能描述:功率驱动器IC MOSFET DUAL SYNC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube ISL6605CRZ-TK 功能描述:IC MOSFET DVR SYNC BUCK 8QFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:* ISL6608CR ISL6608CR-T ISL6608CRZ ISL6608CRZ-T ISL6608IB ISL6608IB-T ISL6608IBZ ISL6608IBZ-T ISL6608IR ISL6608IR-T ISL6608IRZ ISL6608IRZ-T ISL6609ACBZ ISL6609ACBZ-T ISL6609ACRZ ISL6609ACRZ-T ISL6609AIBZ ISL6609AIBZ-T
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