LTC1255IS8

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

LTC1255IS8#PBF
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：张国龙
电话：177226252410755-21008751
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
Linear Technology/Analog
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

LTC1255IS8
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
Linear
SOP
18+
-
原装正品，欢迎订购

LTC1255IS8
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
Linear
SOP8
21+
-
只做原装正品

LTC1255IS8
甄芯网
甄芯网
联系人：柯先生/赵小姐
电话：0755-83665813
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部：中航路都会电子3C002B
资质：营业执照
9105
LINEAR
SOP8
12+
-
专营厂家量大可定货

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功能描述
IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC
RoHS
否
类别
集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
标准包装
5
系列
-
配置
低端
输入类型
非反相
延迟时间
600ns
电流 - 峰
12A
配置数
1
输出数
1
高端电压 - 最大（自引导启动）
-
电源电压
14.2 V ~ 15.8 V
工作温度
-20°C ~ 60°C
安装类型
通孔
封装/外壳
21-SIP 模块
供应商设备封装
模块
包装
散装
配用
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
其它名称
835-1063

LTC1255IS8 技术参数

LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 LTC1255CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC1255CS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:高端和低端，独立输入类型:非反相延迟时间:160ns 电流 - 峰:290mA 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:10 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件产品目录页面:1381 (CN2011-ZH PDF) LTC1255CN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔封装/外壳:21-SIP 模块供应商设备封装:模块包装:散装配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC1250CS8#TRPBF 功能描述:IC BRIDGE AMP ZERO-DRIFT 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:1 系列:- 放大器类型:通用电路数:4 输出类型:满摆幅转换速率:0.028 V/µs 增益带宽积:105kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:3nA 电压 - 输入偏移:100µV 电流 - 电源:3.3µA 电流 - 输出 / 通道:12mA 电压 - 电源，单路/双路(±):2.7 V ~ 12 V，±1.35 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:14-TSSOP 包装:剪切带 (CT) 其它名称:OP481GRUZ-REELCT LTC1258CMS8-2.5#PBF LTC1258CMS8-2.5#TRPBF LTC1258CMS8-3#PBF LTC1258CMS8-3#TRPBF LTC1258CMS8-4.1#PBF LTC1258CMS8-4.1#TRPBF LTC1258CMS8-5#PBF LTC1258CMS8-5#TRPBF LTC1258CS8#PBF LTC1258CS8#TRPBF LTC1258CS8-2.5#PBF LTC1258CS8-2.5#TRPBF LTC1258CS8-3#PBF LTC1258CS8-3#TRPBF LTC1258CS8-4.1#PBF LTC1258CS8-4.1#TRPBF LTC1258CS8-5#PBF LTC1258CS8-5#TRPBF