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LTC4441IMSE

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LTC4441IMSE 技术参数
  • LTC4441ES8-1#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC4441ES8-1#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC4441EMSE#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 10-MSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC4441EMSE#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 10-MSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:5 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:600ns 电流 - 峰:12A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:14.2 V ~ 15.8 V 工作温度:-20°C ~ 60°C 安装类型:通孔 封装/外壳:21-SIP 模块 供应商设备封装:模块 包装:散装 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名称:835-1063 LTC4440ES6-5#TRPBF 功能描述:IC HIGH-SIDE DVR HS HV TSOT23-6 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘,4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?(1.2x1.6) 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1 LTC4442EMS8E-1#TRPBF LTC4442IMS8E#PBF LTC4442IMS8E#TRPBF LTC4442IMS8E-1#PBF LTC4442IMS8E-1#TRPBF LTC4444EMS8E#PBF LTC4444EMS8E#TRPBF LTC4444EMS8E-5#PBF LTC4444EMS8E-5#TRPBF LTC4444HMS8E#PBF LTC4444HMS8E#TRPBF LTC4444HMS8E-5#PBF LTC4444HMS8E-5#TRPBF LTC4444IMS8E#PBF LTC4444IMS8E#TRPBF LTC4444IMS8E-5#PBF LTC4444IMS8E-5#TRPBF LTC4444MPMS8E#PBF
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