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M29W160ET-70N6

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M29W160ET-70N6 技术参数

M29W160ET70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) M29W160ET70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 3V 70NS TB 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29W160EB90N6 功能描述:闪存 2Mx8 or 1Mx16 90ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W160EB90N1 功能描述:闪存 2Mx8 or 1Mx16 90ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W160EB80ZA3SE 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80NS 3V 48TFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29W160ET7AN6F TR M29W160ET7AZA6F M29W160ET7AZA6F TR M29W160ET90N1 M29W160ET90N6 M29W160ET90ZA6T M29W160FB70N3E M29W160FB70N3F M29W160FT70N3F M29W160FT70N3F TR M29W200BB55N1 M29W200BB70M1 M29W200BB70N1 M29W200BB70N6 M29W200BB70N6E M29W200BB90N1 M29W200BB90N6 M29W200BT55N1