MBR140SFT1

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功能描述
肖特基二极管与整流器 1A 40V
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
最大浪涌电流
配置
Crossover Quad
恢复时间
正向电压下降
370 mV
最大反向漏泄电流
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Reel

MBR140SFT1 技术参数

MBR130HWTR 功能描述:PIV 30V IO 1A VF 0 45V PACKAGE S 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12045CTR 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12045CT 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR15100CTF-E1 MBR15100CTF-G1 MBR15100CT-G1 MBR15100CTHC0G MBR15150CT C0G MBR15150CTHC0G MBR15200 MBR15200DJFTR MBR15200STR MBR1530CT MBR1535CT MBR1535CT C0G MBR1535CT-1 MBR1535CT-E3/45 MBR1535CTG MBR1535CTHC0G MBR1535CTHE3/45 MBR1540CT