MJE4343

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功能描述
两极晶体管 - BJT 16A 160V 125W NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

MJE4343 技术参数

MJE350 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:20.8W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE340 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:20.8W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE3055T 功能描述:TRANS NPN 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MJE2955T 功能描述:TRANS PNP 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MJE210 功能描述:TRANS PNP 25V 5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:45 @ 2A，1V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:65MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE5731AG MJE5731G MJE5742 MJE5742G MJE5850 MJE5850G MJE5851 MJE5851G MJE5852 MJE5852G MJE700G MJE700STU MJE701STU MJE702G MJE702STU MJE703 MJE703G MJE703STU