MMFT107T1

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功能描述
MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223
RoHS
否
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

MMFT107T1 技术参数

MMFC8150P001211 功能描述:1X2, 50/125UM MULTIMODE FIBER, F 制造商:oplink communications, llc 系列:* 零件状态:在售标准包装:20 MMF50SFRE560K 功能描述:RES SMD 560K OHM 1% 1/2W MELF 制造商:yageo 系列:MMF 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电阻（欧姆）:560k 容差:±1% 功率（W）:0.5W，1/2W 成分:金属薄膜特性:- 温度系数:±50ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:MELF，0207 供应商器件封装:MELF 大小/尺寸:0.087" 直径 x 0.232" 长（2.20mm x 5.90mm）高度:- 端子数:2 标准包装:10 MMF50SFRE3K 功能描述:RES SMD 3K OHM 1% 1/2W MELF 制造商:yageo 系列:MMF 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电阻（欧姆）:3k 容差:±1% 功率（W）:0.5W，1/2W 成分:金属薄膜特性:- 温度系数:±50ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:MELF，0207 供应商器件封装:MELF 大小/尺寸:0.087" 直径 x 0.232" 长（2.20mm x 5.90mm）高度:- 端子数:2 标准包装:10 MMF50SFRE33K 功能描述:RES SMD 33K OHM 1% 1/2W MELF 制造商:yageo 系列:MMF 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电阻（欧姆）:33k 容差:±1% 功率（W）:0.5W，1/2W 成分:金属薄膜特性:- 温度系数:±50ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 封装/外壳:MELF，0207 供应商器件封装:MELF 大小/尺寸:0.087" 直径 x 0.232" 长（2.20mm x 5.90mm）高度:- 端子数:2 标准包装:10 MMF336118 功能描述:C2K-06-G1350-350/SP70 STACKED RO 制造商:micro-measurements (division of vishay precision group) 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 MMFZ15T1G MMFZ15T3G MMFZ18T1G MMFZ18T3G MMFZ22T1G MMFZ22T3G MMFZ2V4T1G MMFZ2V4T3G MMFZ2V7T1G MMFZ2V7T3G MMFZ33T1G MMFZ33T3G MMFZ3V6T1G MMFZ3V6T3G MMFZ3V9T1G MMFZ3V9T3G MMFZ47T1G MMFZ47T3G