MXD1210ESA T

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MXD1210ESA T 技术参数

MXD1210EPA+ 功能描述:存储器控制器 Nonvolatile RAM Controller RoHS:否制造商:Maxim Integrated MXD1210CWE+ 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 16-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM）电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 MXD1210CWE 功能描述:监控电路 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel MXD1210CSA-T 功能描述:监控电路 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟（典型值）:10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel MXD1210CSA+T 功能描述:IC CNTRLR NVRAM 8-SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM）电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 MXD1810XR46+T MXD1811UR41+T MXD1811UR44+T MXD1811UR46+T MXD1811XR41+T MXD1811XR44+T MXD1811XR46+T MXD1812UR41+T MXD1812UR44+T MXD1812UR46+T MXD1812XR41+T MXD1812XR44+T MXD1813UR41+T MXD1813UR44+T MXD1813UR46+T MXD1813XR41+T MXD1813XR44+T MXD1813XR46+T