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NCP349MNAETBG

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功能描述
电压监测器/监控器 POSITIVE OVP
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
监测电压数
2
监测电压
Adjustable
输出类型
Open Drain
欠电压阈值
过电压阈值
准确性
1 %
工作电源电压
1.5 V to 6.5 V
工作电源电流
1.8 uA
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
SON-6
安装风格
SMD/SMT

NCP349MNAETBG 技术参数

NCP3488DR2G 功能描述:功率驱动器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP3420MNR2G 功能描述:功率驱动器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP3420DR2G 功能描述:功率驱动器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP341MUTBG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Controlled Load Switch Soft-Start NCP3418DR2G 功能描述:功率驱动器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP360MUTXG NCP360SNAET1G NCP360SNAFT1G NCP360SNAIT1G NCP360SNT1G NCP361MUTBG NCP361SNT1G NCP362GEVB NCP367DPMUEBTBG NCP367DPMUECTBG NCP367DPMUEETBG NCP367DPMUELTBG NCP367OPMUEATBG NCP367OPMUEOTBG NCP370GEVB NCP370MUAITXG NCP3712ASNT1 NCP3712ASNT1G